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簡(jiǎn)要描述:銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ0.3mmInGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測(cè),具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍(0.5 μm to 2.6 μm)等特點(diǎn)。
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品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
---|---|---|---|
應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ0.3mm
InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測(cè),具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍(0.5 μm to 2.6 μm)等特點(diǎn)。
產(chǎn)品特性
截止波長(zhǎng): 2.6μm
低成本
感光面積: φ0.3 mm
低噪聲
高靈敏度
高可靠性
高速響應(yīng)
產(chǎn)品應(yīng)用
光功率計(jì)
氣體分析
濕度計(jì)
近紅外光度法
詳細(xì)參數(shù)
感光面積 | φ0.3mm |
像元個(gè)數(shù) | 1 |
封裝 | Metal |
封裝類型 | TO-18 |
制冷方式 | Non-cooled |
光譜響應(yīng)范圍 | 0.9 to 2.6 μm |
峰值靈敏度波長(zhǎng)(典型值) | 2.3 μm |
靈敏度 (典型值) | 1.3 A/W |
暗電流 (最大值) | 100000 nA |
截至頻率(典型值) | 50 MHz |
結(jié)電容(典型值) | 1800 pF |
噪聲等效功率 (典型值) | 4×10-13 W/Hz1/2 |
測(cè)量條件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz. |
光譜響應(yīng)
外形尺寸(單位:mm)
銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ0.3mm
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