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當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品展示 > 半導(dǎo)體連續(xù)激光器 > VCSEL激光器 > VCSEL-795-0.13795 nm , VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器
簡要描述：795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips正向電流 VF 典型值 1.8 V 輸出功率 Φ 典型值 0.13 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm
產(chǎn)品型號(hào)：VCSEL-795-0.13廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2022-12-13訪 問 量：2062相關(guān)文章
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| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組成要素 | 半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,建材,電子 |
垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結(jié)構(gòu)由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成，在P型DBR外表面制作金屬接觸層，形成歐姆接觸，并在P型DBR上制作一個(gè)圓形出口，輸出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20
應(yīng)用
原子鐘
磁力計(jì)
特點(diǎn):
包裝: 裸片
芯片工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器
激光波長: 795 nm
輻射剖面: 單模
ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)
最大額定值
Ta = 80°C
參數(shù) | 符號(hào) | 值 | |
操作/焊接溫度 DC = 100% | TS | 最小值 最大值 | -20°C 110°C |
儲(chǔ)存溫度 | Tstg | 最小值 最大值 | -40°C 125°C |
正向電流（保持單模） 直流操作; DC = 100%; TS = 75°C | If | 最大值 | 1.5 mA |
正向電流 直流操作; DC = 100%; TS = 75°C | If | 最大值 | 3mA |
反向電壓 | 不適合反向操作 | ||
ESD耐電壓 acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A) | VESD | 最大值 | 250 V |
注意:超出絕對最大額定值范圍的應(yīng)力可能會(huì)對設(shè)備造成損壞。
特點(diǎn)
Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3
參數(shù) | 符號(hào) | 值 | |
正向電流 | VF | 典型值 | 1.8 V |
輸出功率 | Φ | 典型值 | 0.13 mW |
閾值電流 | Ith | 典型值 | 0.75 mA |
斜率效能 | SE | 典型值 | 0.21 W / A |
單模抑制比 | SMSR | 最小值 | 20 dB |
偏振消光比5) | PER | 最小值 | 15 dB |
峰值波長 | λpeak-v | 最小值 典型值 最大值 | 794.5 nm 795 nm 795.5 nm |
光譜線寬度 | Λlinewidth | 最大值 | 100 MHz |
調(diào)頻調(diào)制帶寬 | Fm | 最小值 | 3.4 GHz |
波長溫度系數(shù) | TCλ | 典型值 | 0.055 nm / K |
半峰全寬處視場(50% of Φmax) | φx φY | 典型值 典型值 | 12° 12° |
1/e2處 視場 | φx φY | 典型值 典型值 | 20° 20° |
注意:波長,輸出功率根據(jù)操作溫度和電壓的變化而變化。
相對光譜發(fā)射 1)
輻射特征 1)
正向電流 1) 2)
光輸出功率 1) 2)
尺寸圖 3)
包裝
根據(jù)操作模式的不同，這些設(shè)備發(fā)射出高度集中的可見光和非可見光，這可能對人眼有害。包含這些設(shè)備的產(chǎn)品必須遵循IEC 60825-1中給出的安全預(yù)防措施。
除其他物質(zhì)外，該裝置的子組件還含有金屬填充材料，包括銀。金屬填充材料可能會(huì)受到含有侵略性
物質(zhì)的環(huán)境影響。因此，我們建議客戶在存儲(chǔ)、生產(chǎn)和使用過程中盡量減少設(shè)備接觸腐蝕性物質(zhì)。當(dāng)
使用上述試驗(yàn)進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)，顯示出可見變色的裝置在規(guī)定的試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間內(nèi)未顯示出故障限值范圍內(nèi)
的性能偏差。
IEC60810中描述了相應(yīng)的故障限值。
1) 典型值：由于半導(dǎo)體器件制造工藝的特殊條件，技術(shù)參數(shù)的典型數(shù)據(jù)或計(jì)算關(guān)聯(lián)只能反映統(tǒng)計(jì)數(shù)字。這些不一定對應(yīng)于每個(gè)產(chǎn)品的實(shí)際參數(shù)，這些參數(shù)可能不同于典型值和計(jì)算相關(guān)或典型特征線。由于技術(shù)改進(jìn)，這些典型值數(shù)據(jù)將被更改，恕不另行通知。
2) 測試溫度: TA = 85°C ± 2°C
3) 尺寸公差:除非圖紙中另有說明，公差以±0.1規(guī)定，尺寸以mm規(guī)定。
4) 波長:連續(xù)波長測量，分辨率±0.1 nm。
5) 偏振: 在安裝或封裝引起的模具應(yīng)力條件下，偏振消光比會(huì)降低。
描述 | 工作模式 | 訂購代碼 |
Group 1 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20 | Ta = 60±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm | V00145 Group: 1 |
Group 2 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20 | Ta = 70±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm | V00145 Group: 2 |
Group 3 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20 | Ta = 80±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm | V00145 Group: 3 |
Group 4 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20 | Ta = 90±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm | V00145 Group: 4 |
Group 5 - Die; 2222; 795; S; 1M; S5,S6,S7; 0.13mW; 0.16X0.20 | Ta = 100±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 795nm | V00145 Group: 5 |
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