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2.5-6.5um MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測器 PVI系列 PVI系列是基于復雜的MCT異質(zhì)結構的非制冷紅外光電探測器，采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的最佳性能。起始波長可根據(jù)需求進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態(tài)范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性

3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe PV系列是基于復雜的HgCdTe異質(zhì)結構的非制冷紅外光電探測器，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的佳性能。波長分割可根據(jù)需求進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態(tài)范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。

美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC,SMF28e

美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ＧＨｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接,FC/UPC

美國EOT - 硅光電探測器 118 MHz：材料：Silicon 上升／下降時間：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ； 響應度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１１８ＭＨｚ； 有效面積直徑：２．５５ｍｍ； 輸出連接：BNC

美國EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測器 2 GHz：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ＧＨｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：BNC

2.2um擴展型InGaAs光電二極管探測器：峰值波長（典型）： 2.0 ± 0.1um 截止波長 (50%): 2.2 ± 0.1um 響應度@ λP(min/typ)：0.9/1.0A/W 有效直徑：3mm

Ge大光敏面鍺光電二極管 800-1800nm 直徑 5mm雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上，銦鎵砷基底在下)，組合波長范圍從400到1700 nm。