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  • 砷化銦 InAs光伏探測(cè)器 3.35um
    砷化銦 InAs光伏探測(cè)器 3.35um

    砷化銦 InAs光伏探測(cè)器 3.35um 產(chǎn)品應(yīng)用: 氣體分析 激光探測(cè) 紅外分光光度測(cè)量 輻射溫度計(jì)

    更新時(shí)間:2024-07-27型號(hào):訪問量:1017
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  • HPDFSI-461-4-H-C高功率偏振依賴自由空間隔離器 461/689/813nm (旋轉(zhuǎn)器/旋光器)
    HPDFSI-461-4-H-C高功率偏振依賴自由空間隔離器 461/689/813nm (旋轉(zhuǎn)器/旋光器)

    高功率偏振依賴自由空間隔離器 461/689/813nm (旋轉(zhuǎn)器/旋光器)筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司是一家被上海市評(píng)為高新技術(shù)企業(yè)的專業(yè)光學(xué)服務(wù)公司,業(yè)務(wù)涵蓋設(shè)備代理以及項(xiàng)目合作研發(fā),建有先進(jìn)的AOL(Advanced Optical Labs)光學(xué)實(shí)驗(yàn)室,為國(guó)內(nèi)外客戶提供專業(yè)技術(shù)支持服務(wù)。

    更新時(shí)間:2024-04-17型號(hào):HPDFSI-461-4-H-C訪問量:862
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  • 145GHz光電探測(cè)器模塊(保偏光纖)
    145GHz光電探測(cè)器模塊(保偏光纖)

    145GHz光電探測(cè)器模塊(保偏光纖) 應(yīng)用 ? 數(shù)據(jù)通信 ? 電信 ? 測(cè)試測(cè)量 ? 微波光子學(xué)

    更新時(shí)間:2024-08-10型號(hào):訪問量:913
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  • 硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz
    硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz

    硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等 特點(diǎn),可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。

    更新時(shí)間:2022-09-15型號(hào):訪問量:783
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  • 145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖)
    145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖)

    145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖) 產(chǎn)品總覽 該產(chǎn)品是為數(shù)據(jù)通信( 1T/bs PAM),電信和微波光子應(yīng)用而研發(fā)的145GHz超快光電探測(cè)器模塊。

    更新時(shí)間:2024-09-25型號(hào):訪問量:766
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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm
    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR),以及快速的時(shí)間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型,有效面積:Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計(jì)。

    更新時(shí)間:2022-09-15型號(hào):訪問量:887
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  • 1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)
    1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)

    1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 器件是N型硅象限探測(cè)器,當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí),則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí),由于象限間輻射通量的變化,引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化,由此可測(cè)出物體的方位,從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。

    更新時(shí)間:2022-09-15型號(hào):訪問量:1085
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  • 1064nm 四象限Si光電探測(cè)器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)
    1064nm 四象限Si光電探測(cè)器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)

    1064nm 四象限Si光電探測(cè)器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 產(chǎn)品應(yīng)用 ● 激光瞄準(zhǔn)、制導(dǎo)跟蹤及探索裝置 ● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測(cè)量系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2024-08-09型號(hào):訪問量:908
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